ИНФОРМАТИКА

Специальный управляющий сигнал Зп/сч (Write/Read) указывает микросхеме, что она должна делать: записывать или считывать информацию. Управляющие сигналы на этот вход поступают от процессора. В одноразрядных микросхемах памяти имеются один вход для записи информации и один выход для ее считывания.
Разрядность кода адреса т в одноразрядных микросхемах памяти определяет информационную емкость, т. е. число ЭП в матрице накопителя. Емкость такой микросхемы рассчитывается по формуле 2m. Например, если у одноразрядной микросхемы памяти имеется 10 адресных входов, то информационная емкость составит N = 210 = 1024 бита.
Некоторые микросхемы памяти имеют многоразрядную структуру, называемую также словарной. У таких микросхем памяти имеется несколько информационных входов и столько же выходов. Поэтому они допускают одновременную запись (или считывание) многоразрядного кода, который принято называть словом. Один адрес позволяет считать информацию сразу из нескольких ЭП. Группа элементов памяти, одновременно считываемая при подаче информации на адресные входы микросхемы, называется ячейкой памяти. Таким образом, ячейка памяти – это несколько ЭП, имеющих общий адрес.
На английском языке оперативная память называется Random Access Memory (RAM) – память с произвольным доступом. Термин «произвольный доступ» означает, что можно считать (записать) информацию в любой момент времени из любого (в любой) ЭП. Заметим, что существует и другая организация памяти, при которой, прежде чем считать нужную информацию, нужно «вытолкнуть» ранее поступившие операнды.
Используется два основных типа оперативной памяти: статическая (SRAM – Static RAM) и динамическая (DRAM – Dynamic RAM).
Эти две разновидности памяти различаются быстродействием и удельной плотностью (емкостью) хранимой информации. Быстродействие памяти характеризуется двумя параметрами: временем доступа (access time) и длительностью цикла (cycle time). Эти величины, как правило, измеряются в наносекундах. Чем меньше эти величины, тем больше быстродействие памяти.